SSD Samsung (M.2)

Model : 990 PRO

Format dysku : M.2 2280

Pojemność dysku : 2 TB

Interfejs : PCI-E x4 Gen4 NVMe

Szybkość odczytu : 7450 MB/s

Szybkość zapisu : 6900 MB/s

Głębokość : 2,3 mm

Model : 990 PRO

Format dysku : M.2 2280

Pojemność dysku : 2 TB

Interfejs : PCI-E x4 Gen4 NVMe

Szybkość odczytu : 7450 MB/s

Szybkość zapisu : 6900 MB/s

Format dysku : M.2 2280
Grubość [mm] : 2.38
Pojemność dysku : 500 GB
Interfejs : PCI-E x4 Gen3 NVMe
Rodzaj kości pamięci : TLC
Szybkość odczytu : 3100 MB/s
Szybkość zapisu : 2600 MB/s
Odczyt Losowy : 400000 IOPS
Zapis Losowy : 470000 IOPS
Nominalny czas pracy : 1.5 mln godzin
TBW (Total Bytes Written) : 300 TB
Klucz : M
Szyfrowanie sprzętowe : Tak
Kontroler : Samsung Pablo

Grupa produktowa : Dyski Samsung
Szybkość odczytu : 7250 MB/s
Szybkość zapisu : 6300 MB/s
Rodzaj dysku : wewnętrzny
Typ : SSD
Interfejs : M.2
Wersja M.2 : PCIe 5.0
Format M.2 : 2280
Pojemność : 2000 GB

---Trwałość---
Wytrzymałość na wstrząsy w czasie pracy : 1500 G
Wytrzymałość na wstrząsy w czasie spoczynku : 1500 G
Niezawodność MTBF : 1500000 godz.
TBW : 1200 TB

---Dane fizyczne---
Szerokość : 22.15 mm
Wysokość : 2.38 mm
Długość : 80.15 mm
Waga : 9 g

Gwarancja : 5 lat w serwisie sprzedawcy

Format dysku : M.2 2280
Grubość [mm] : 2.38
Pojemność dysku : 1 TB
Interfejs : PCI-E x4 Gen3 NVMe
Rodzaj kości pamięci : TLC
Szybkość odczytu : 3500 MB/s
Szybkość zapisu : 3000 MB/s
Odczyt Losowy : 500000 IOPS
Zapis Losowy : 480000 IOPS
Nominalny czas pracy : 1.5 mln godzin
TBW (Total Bytes Written) : 600 TB
Klucz : M
Szyfrowanie sprzętowe : Tak
Kontroler : Samsung Pablo

Format dysku : M.2 2280
Grubość [mm] : 2.38
Pojemność dysku : 250 GB
Interfejs : PCI-E x4 Gen3 NVMe
Rodzaj kości pamięci : TLC
Szybkość odczytu : 2900 MB/s
Szybkość zapisu : 1300 MB/s
Odczyt Losowy : 230000 IOPS
Zapis Losowy : 320000 IOPS
Nominalny czas pracy : 1.5 mln godzin
TBW (Total Bytes Written) : 150 TB
Klucz : M
Szyfrowanie sprzętowe : Tak
Kontroler : Samsung Pablo

Grupa produktowa : Dyski Samsung
Szybkość odczytu : 7250 MB/s
Szybkość zapisu : 6300 MB/s
Rodzaj dysku : wewnętrzny
Typ : SSD
Interfejs : M.2
Wersja M.2 : PCIe 5.0
Format M.2 : 2280
Pojemność : 4000 GB

---Trwałość---
Wytrzymałość na wstrząsy w czasie pracy : 1500 G
Wytrzymałość na wstrząsy w czasie spoczynku : 1500 G
Niezawodność MTBF : 1500000 godz.
TBW : 2400 TB

---Dane fizyczne---
Szerokość : 22.15 mm
Wysokość : 2.38 mm
Długość : 80.15 mm
Waga : 9 g

Gwarancja : 5 lat w serwisie sprzedawcy

Gwarancja : 5 lat w serwisie sprzedawcy
Grupa produktowa : Dyski Samsung
Szybkość odczytu : 5000 MB/s
Szybkość zapisu : 4200 MB/s
Rodzaj dysku : wewnętrzny
Typ : SSD
Interfejs : M.2
Wersja M.2 : PCIe 4.0
Format M.2 : 2280
Pojemność : 2000 GB

Wydajność
Prędkość obrotowa : nie dotyczy obr./min.

Trwałość
Wytrzymałość na wstrząsy w czasie pracy : 1500 G
Wytrzymałość na wstrząsy w czasie spoczynku : 1500 G
Niezawodność MTBF : 1500000 godz.
TBW : 1200 TB

Dane fizyczne
Szerokość : 22 mm
Wysokość : 2.3 mm
Długość : 80 mm
Waga : 9 g

Informacje dodatkowe
Zastosowane technologie :
NVMe
S.M.A.R.T.
TRIM

Cechy dodatkowe : 256-bitowe szyfrowanie danych AES
Model : Samsung 990 Evo

Interfejs : M.2/​M-Key (PCIe 4.0 x4)
Odczyt : 7450MB/​s
Zapis : 6900MB/s SLC-Cached
Odczyt/zapis IOPS 4K : 1200k/​1550k
Moduły pamięci : 3D-NAND TLC, Samsung, 176 Layer (V-NAND v7)
Prognoza niezawodności : 1.5 mil. godzin (MTBF)
Kontroler : Samsung Pascal
Cache : 1GB (LPDDR4), SLC-Cache
Protokół : NVMe 2.0
Funkcje ochrony danych : 256bit AES, TCG Opal 2.0
Wymiary : 80x24.3x8.2mm (z chłodnica)
Gwarancja : pięć lat lub do osiągnięcia TBW

Gwarancja producenta: 60 miesięcy w serwisie


Ogólne
Rodzaj urządzenia: Napęd stały - wewnętrzny
Pojemność: 1 TB
Kodowanie sprzętu: Tak
Algorytm kodowania: 256 bitów AES
Typ pamięci NAND: Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy: M.2 2280
Interfejs: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Wielkość bufora: 1 GB
Cechy: Wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Szerokość: 22.15 mm
Głębokość: 80.15 mm
Wysokość: 2.38 mm
Waga: 8 g


Wydajność
Wytrzymałość SSD: 600 TB
Szybkość wewnętrzna danych: 3500 MBps (odczyt) / 3300 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB: 19000 IOPS
Zapis losowy 4KB: 60000 IOPS
Maksymalny zapis losowy 4KB: 550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB: 600000 IOPS


Niezawodność
MTBF: 1,500,000 godziny


Rozszerzenie i łączność
Interfejsy: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatybilna Wnęka: M.2 2280


Zasilanie
Zużycie energii:
6 wat (przeciętna)
9 wat (maksymalnie)
30 mW (maks. czas bezczynności)


Różne
Zgodność z normami: IEEE 1667

Gwarancja producenta: 60 miesięcy w serwisie


Ogólne
Rodzaj urządzenia: Napęd stały - wewnętrzny
Pojemność: 250 GB
Kodowanie sprzętu: Tak
Algorytm kodowania: 256 bitów AES
Typ pamięci NAND: Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy: M.2 2280
Interfejs: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Wielkość bufora: 512 MB
Cechy: Wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Szerokość: 22.15 mm
Głębokość: 80.15 mm
Wysokość: 2.38 mm
Waga: 8 g


Wydajność
Wytrzymałość SSD: 150 TB
Szybkość wewnętrzna danych: 3500 MBps (odczyt) / 2300 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB: 17000 IOPS
Zapis losowy 4KB: 60000 IOPS
Maksymalny zapis losowy 4KB: 550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB: 250000 IOPS


Niezawodność
MTBF: 1,500,000 godziny


Rozszerzenie i łączność
Interfejsy: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatybilna Wnęka: M.2 2280


Zasilanie
Zużycie energii:
5 wat (przeciętna)
8 wat (maksymalnie)
30 mW (maks. czas bezczynności)


Różne
Zgodność z normami: IEEE 1667

Gwarancja : 5 lat w serwisie sprzedawcy
Grupa produktowa : Dyski Samsung
Szybkość odczytu : 5000 MB/s
Szybkość zapisu : 4200 MB/s
Rodzaj dysku : wewnętrzny
Typ : SSD
Interfejs : M.2
Wersja M.2 : PCIe 4.0
Format M.2 : 2280
Pojemność : 1000 GB

Wydajność
Prędkość obrotowa : nie dotyczy obr./min.

Trwałość
Wytrzymałość na wstrząsy w czasie pracy : 1500 G
Wytrzymałość na wstrząsy w czasie spoczynku : 1500 G
Niezawodność MTBF : 1500000 godz.
TBW : 600 TB

Dane fizyczne
Szerokość : 22 mm
Wysokość : 2.3 mm
Długość : 80 mm
Waga : 9 g

Informacje dodatkowe
Zastosowane technologie :
NVMe
S.M.A.R.T.
TRIM

Cechy dodatkowe : 256-bitowe szyfrowanie danych AES
Model : Samsung 990 Evo

Interfejs : M.2/​M-Key (PCIe 4.0 x4)
Pojemność pamięci SSD : 2 TB
Odczyt : 7450MB/​s
Zapis : 6900MB/s SLC-Cached
Odczyt/zapis IOPS 4K : 1400k/​1550k
Moduły pamięci : 3D-NAND TLC, Samsung, 176 Layer (V-NAND v7)
Prognoza niezawodności : 1.5 mil. godzin (MTBF)
Kontroler : Samsung Pascal
Cache : 2GB (LPDDR4), SLC-Cache
Protokół : NVMe 2.0
Funkcje ochrony danych : 256bit AES, TCG Opal 2.0
Wymiary : 80x24.3x8.2mm (z chłodnica)
Gwarancja : pięć lat lub do osiągnięcia TBW

Model : 990 PRO

Format dysku : M.2 2280

Pojemność dysku : 1 TB

Interfejs : PCI-E x4 Gen4 NVMe

Szybkość odczytu : 7450 MB/s

Szybkość zapisu : 6900 MB/s

Głębokość : 2,3 mm

Ogólne
Rodzaj urządzenia: : SSD - wewnętrzny
Pojemność: : 4 TB
Kodowanie sprzętu: : Tak
Algorytm kodowania: : 256 bitów AES
Typ pamięci NAND: : Komórka wielopoziomowa (MLC)
Radiator Zintegrowany: : Tak
Rodzaj obudowy: : M.2 2280
Interfejs: : PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy: : Wsparcie TRIM, technologia Garbage Collection, obsługa Usypiania Urządzenia, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Pamięć Podręczna DDR4 SDRAM niskiej mocy 4 GB, S.M.A.R.T.
Szerokość: : 24.3 mm
Głębokość: : 80 mm
Wysokość: : 8.2 mm
Waga: : 28 g


Wydajność
Szybkość wewnętrzna danych: : 7450 MBps (odczyt) / 6900 MBps (zapis)
Maksymalny zapis losowy 4KB: : 1550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB: : 1600000 IOPS


Niezawodność
MTBF: : 1,500,000 godziny


Rozszerzenie i łączność
Interfejsy: : PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka: : M.2 2280


Zasilanie
Zużycie energii: : 5.5 wat (przeciętna)
55 mW (bezczynność)

Model : 990 PRO

Format dysku : M.2 2280

Pojemność dysku : 1 TB

Interfejs : PCI-E x4 Gen4 NVMe

Szybkość odczytu : 7450 MB/s

Szybkość zapisu : 6900 MB/s

Uwolnij moc dysku PCIe 4.0 NVMe SSD 980 PRO firmy Samsung, by cieszyć się wysoką jakością pracy komputera. Dzięki interfejsowi PCIe 4.0 dysk 980 PRO zapewnia szybszy transfer danych niż PCIe 3.0. Oferuje przy tym wsteczną kompatybilność z tym standardem, co przekłada się na niezwykłą wszechstronność zastosowania.


Najważniejsze punkty sprzedaży
Maksymalna prędkość
Napędzany opracowanym przez Samsung kontrolerem Elpis dla SSD PCIe 4.0 dysk 980 PRO zoptymalizowano pod kątem szybkości działania.
Oferuje znakomitą prędkość odczytu.


Sprzęt dla wymagających
Zaprojektowany z myślą o zapalonych graczach i profesjonalnych użytkownikach. Dysk 980 PRO oferuje dużą przepustowość i wysoką wydajność, potrzebną dla wymagających gier, programów graficznych, czy analiz danych.


Efektywny dysk SSD NVMe M.2
Dysk 980 PRO ma kompaktowy format M.2 2280, można go więc z łatwością podłączać do komputerów stacjonarnych i laptopów. Dzięki zwiększonej energooszczędności doskonale sprawdzi się też przy tworzeniu wysokowydajnych zestawów komputerowych.


Niezawodna kontrola termiczna
Wysokowydajne dyski SSD zwykle wymagają wysokowydajnej kontroli termicznej. Aby zapewnić wyższą wydajność, w 980 PRO wykorzystano powłokę z niklu, które pomaga zarządzać poziomem nagrzania kontrolera. Z kolei dedykowana warstwa odprowadzająca ciepło zapewnia kontrolę termiczną chipów pamięci NAND.


Inteligentne rozwiązanie termiczne
Za sprawą opracowanego przez Samsung algorytmu kontroli termicznej 980 PRO sam zarządza poziomem nagrzania, by zapewnić trwałą, niezawodną jakość pracy. Aby zapobiec wahaniom wydajności dysku, technologia Dynamic Thermal Guard firmy Samsung utrzymuje jego temperaturę na optymalnym poziomie.



Rodzaj urządzenia: Napęd stały - wewnętrzny
Pojemność: 2 TB
Kodowanie sprzętu: Tak
Algorytm kodowania: 256 bitów AES
Rodzaj obudowy: M.2 2280
Interfejs: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Wielkość bufora: 2 GB
Cechy: Wsparcie TRIM, tryb uśpienia, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, NVM Express (NVMe) 1.3c, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Elpis Controller, S.M.A.R.T.
Szerokość: 22.15 mm
Głębokość: 80.15 mm
Wysokość: 2.38 mm
Waga: 9 g


Wydajność
Wytrzymałość SSD: 1200 TB
Szybkość wewnętrzna danych: 7000 MBps (odczyt) / 5100 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB: 22000 IOPS
Zapis losowy 4KB: 60000 IOPS
Maksymalny zapis losowy 4KB: 1000000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB: 1000000 IOPS


Niezawodność
MTBF: 1,500,000 godziny


Rozszerzenie i łączność
Interfejsy: PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatybilna Wnęka: M.2 2280


Zasilanie
Zużycie energii:
6.1 wat (przeciętna)
7.2 wat (maksymalnie)
35 mW (bezczynność)


Oprogramowanie & Wymagania systemowe
Dołączone oprogramowanie: Samsung Magician Software


Różne
Zgodność z normami: IEEE 1667


Gwarancja producenta
Obsługa i wsparcie: Gwarancja ograniczona - 5 lat


Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy: 0 °C
Maksymalna temperatura pracy: 70 °C
Odporność na wstrząsy (podczas pracy): 1500 g @ 0,5 ms

Grupa produktowa : Dyski Samsung
Szybkość odczytu : 7150 MB/s
Szybkość zapisu : 6300 MB/s
Rodzaj dysku : wewnętrzny
Typ : SSD
Interfejs : M.2
Wersja M.2 : PCIe 5.0
Format M.2 : 2280
Pojemność : 1000 GB

---Trwałość---
Wytrzymałość na wstrząsy w czasie pracy : 1500 G
Wytrzymałość na wstrząsy w czasie spoczynku : 1500 G
Niezawodność MTBF : 1500000 godz.
TBW : 600 TB

---Dane fizyczne---
Szerokość : 22.15 mm
Wysokość : 2.38 mm
Długość : 80.15 mm
Waga : 9 g

Gwarancja : 5 lat w serwisie sprzedawcy

Ogólne
Rodzaj urządzenia : SSD - wewnętrzny
Pojemność : 4 TB
Kodowanie sprzętu : Tak
Algorytm kodowania : 256 bitów AES
Typ pamięci NAND : Komórka wielopoziomowa (MLC)
Rodzaj obudowy : M.2 2280
Interfejs : PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy : Wsparcie TRIM, technologia Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, obsługa Usypiania Urządzenia, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, Pamięć Podręczna 4 GB Niska Moc DDR4 SDRAM, S.M.A.R.T.
Szerokość : 22 mm
Głębokość : 80 mm
Wysokość : 2.3 mm
Waga : 9 g


Wydajność
Szybkość wewnętrzna danych : 7450 MBps (odczyt) / 6900 MBps (zapis)
Maksymalny zapis losowy 4KB : 1550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB : 1600000 IOPS


Niezawodność
MTBF : 1,500,000 godziny


Rozszerzenie i łączność
Interfejsy : PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka : M.2 2280


Zasilanie
Zużycie energii : 5.5 wat (przeciętna)
55 mW (bezczynność)

Gwarancja producenta: 60 miesięcy w serwisie


Ogólne
Rodzaj urządzenia: Napęd stały - wewnętrzny
Pojemność: 500 GB
Kodowanie sprzętu: Tak
Algorytm kodowania: 256 bitów AES
Typ pamięci NAND: Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy: M.2 2280
Interfejs: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Wielkość bufora: 512 MB
Cechy: Wsparcie TRIM, tryb uśpienia, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Szerokość: 22.15 mm
Głębokość: 80.15 mm
Wysokość: 2.38 mm
Waga: 8 g


Wydajność
Wytrzymałość SSD: 300 TB
Szybkość wewnętrzna danych: 3500 MBps (odczyt) / 3200 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB: 19000 IOPS
Zapis losowy 4KB: 60000 IOPS
Maksymalny zapis losowy 4KB: 550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB: 480000 IOPS


Niezawodność
MTBF: 1,500,000 godziny


Rozszerzenie i łączność
Interfejsy: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatybilna Wnęka: M.2 2280


Zasilanie
Zużycie energii:
5.8 wat (przeciętna)
9 wat (maksymalnie)
30 mW (maks. czas bezczynności)


Różne
Zgodność z normami: IEEE 1667