![Samsung 990 Pro 4TB SSD M.2 2280 NVMe Gen4x4 MLC (7450/6900MB/s) (4GB LPDDR4) [MZ-V9P4T0BW]](https://znak.pl/images/cd7506ca-da12-47a4-867e-e02a44532d55/3lbcujisr3uqe4kg.jpg)
![Samsung 990 Pro 4TB SSD M.2 2280 NVMe Gen4x4 MLC (7450/6900MB/s) (4GB LPDDR4) [MZ-V9P4T0BW]](https://znak.pl/images/1d6b2f13-cf7b-46cc-a46b-9c36ff8c3e05/3lbcujisr3uqe4kg.jpg)
Samsung 990 Pro 4TB SSD M.2 2280 NVMe Gen4x4 MLC (7450/6900MB/s) (4GB LPDDR4) [MZ-V9P4T0BW]
Kod produktu: hddssdSam4TB MZ-V9P4T0BW
Kod liczbowy: 106913
Format
M.2 80 mm
Pojemność
4 TB
Interfejs
PCIe NVMe Gen4x4
Prędkość odczytu
7450 MB/s
Prędkość zapisu
6900 MB/s
Odczyt losowy [IOPS]
1400000
Wpisz zapis losowy [MB/s]
1550000
Zapis losowy [IOPS]
1550000
Rodzaj pamięci
TLC
Niezawodność MTBF
1500000 godzin
Radiator
brak
TBW
2400 TB
Wysokość [mm]
2.3
Szerokość [mm]
22
Głębokość [mm]
80
Waga [g]
9
Specyfikacja
Ogólne
Rodzaj urządzenia : SSD - wewnętrzny
Pojemność : 4 TB
Kodowanie sprzętu : Tak
Algorytm kodowania : 256 bitów AES
Typ pamięci NAND : Komórka wielopoziomowa (MLC)
Rodzaj obudowy : M.2 2280
Interfejs : PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy : Wsparcie TRIM, technologia Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, obsługa Usypiania Urządzenia, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, Pamięć Podręczna 4 GB Niska Moc DDR4 SDRAM, S.M.A.R.T.
Szerokość : 22 mm
Głębokość : 80 mm
Wysokość : 2.3 mm
Waga : 9 g
Wydajność
Szybkość wewnętrzna danych : 7450 MBps (odczyt) / 6900 MBps (zapis)
Maksymalny zapis losowy 4KB : 1550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB : 1600000 IOPS
Niezawodność
MTBF : 1,500,000 godziny
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy : PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka : M.2 2280
Zasilanie
Zużycie energii : 5.5 wat (przeciętna)
55 mW (bezczynność)
Rodzaj urządzenia : SSD - wewnętrzny
Pojemność : 4 TB
Kodowanie sprzętu : Tak
Algorytm kodowania : 256 bitów AES
Typ pamięci NAND : Komórka wielopoziomowa (MLC)
Rodzaj obudowy : M.2 2280
Interfejs : PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy : Wsparcie TRIM, technologia Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, obsługa Usypiania Urządzenia, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, Pamięć Podręczna 4 GB Niska Moc DDR4 SDRAM, S.M.A.R.T.
Szerokość : 22 mm
Głębokość : 80 mm
Wysokość : 2.3 mm
Waga : 9 g
Wydajność
Szybkość wewnętrzna danych : 7450 MBps (odczyt) / 6900 MBps (zapis)
Maksymalny zapis losowy 4KB : 1550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB : 1600000 IOPS
Niezawodność
MTBF : 1,500,000 godziny
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy : PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka : M.2 2280
Zasilanie
Zużycie energii : 5.5 wat (przeciętna)
55 mW (bezczynność)
Opinie
5
0
4
0
3
0
2
0
1
0
Opinie użytkowników 0
Dodaj opinię
Ten produkt nie ma jeszcze opinii, dodaj opinię, bądź pierwszy!