Opis
Doskonały dysk SSD dla entuzjastów gier
Osiągnij maksymalną wydajność PCIe® 4.0. Doświadcz trwalszej, powalającej przeciwników prędkości. Inteligentna kontrola ciepła wewnętrznego kontrolera zapewnia najwyższą wydajność energetyczną przy jednoczesnym zachowaniu zaciekłej prędkości i wydajności, aby zawsze utrzymać Cię na szczycie swojej gry.
Maksymalna prędkość PCIe 4.0
Ogromny wzrost prędkości. Prędkości losowego odczytu/zapisu szybsze o 40% i 55% niż w przypadku 980 PRO - do 1400K/1550K IOPS, podczas gdy sekwencyjne prędkości odczytu/zapisu do 7450/6900 MB/s pozwalają uzyskać wydajność zbliżoną do maksymalnej PCIe® 4.0. Osiągnij wysokie wyniki w grach, edycji wideo i 3D, analizie danych i nie tylko.
Poprawiona wydajność energetyczna
Wyższa wydajność często zużywa więcej energii. Nie w przypadku 990 PRO. Ciesz się niskim zużyciem energii dzięki ponad 50% poprawie wydajności na wat w porównaniu z poprzednim modelem, 980 PRO.
Inteligentne rozwiązanie termiczne
Odprowadź ciepło. Smukły radiator rozprasza ciepło, zapobiegając spadkom wydajności spowodowanym przegrzaniem. Uzyskaj stabilną kontrolę temperatury i minimalny hałas wentylatora do gier o wysokiej grafice. Cienka obudowa jest kompatybilna z PlayStation® 5, komputerami stacjonarnymi i laptopami spełniającymi standard PCI-SIG® D8.
Graj jak profesjonalista
Zapewnij sobie zwycięstwo dzięki 990 PRO z rozszerzoną pojemnością 4TB Heatsink, zapewniającą losową prędkość odczytu do 1 600 000 IOPS. Zobacz szybsze czasy ładowania na swoim komputerze i PlayStation® 5, ponieważ tchnie życie w Twoje gry.
Oprogramowanie Samsung Magician
Odblokuj pełną moc 990 PRO. Przyjazny dla użytkownika zestaw narzędzi optymalizacyjnych oprogramowania Samsung Magician zawsze zapewnia najlepszą wydajność SSD. Chroń dane, pobieraj aktualizacje, monitoruj stan dysku i konfiguruj kombinacje kolorów LED. Twój osobisty zestaw narzędzi SSD.
Pamięć Flash nr 1 na świecie
Poznaj najwyższą wydajność i niezawodność, jakie oferuje wyłącznie marka pamięci flash nr 1 na świecie od 2003 roku. Wszystkie komponenty i oprogramowanie sprzętowe są produkowane wewnętrznie, w tym znane na całym świecie pamięci DRAM i NAND firmy Samsung, co zapewnia zintegrowaną jakość od początku do końca, której możesz zaufać.
Specyfikacja
Pojemność : 4 TB
Współczynnik kształtu : M.2 (2280)
Interfejs : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Wymiary : 80,15 x maks. 25 x maks. 8,88 mm
Waga : 28,0 g
Pamięć masowa : Pamięć TLC Samsung V-NAND
Kontroler : Kontroler wewnętrzny firmy Samsung
Pamięć podręczna : Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM
---- Funkcje specjalne ----
Wsparcie TRIM : Utrzymany
Wsparcie SMART : Utrzymany
GC (Zbiórka śmieci) : Algorytm automatycznego zbierania śmieci
Wsparcie szyfrowania : Szyfrowanie AES 256-bitowe (klasa 0)TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Wsparcie WWN : Nieobsługiwane
Obsługa trybu uśpienia urządzenia : Tak
---- Wydajność ----
Odczyt sekwencyjny : Do 7450 MB/s
Zapis sekwencyjny : Do 6900 MB/s
Losowy odczyt : Do 1 600 000 IOPS
Losowy zapis : Do 1 550 000 IOPS
---- Środowisko ----
Średnie zużycie energii (poziom systemowy)
Średnio: 6,5 W , Maksymalnie: 8,6 W (tryb seryjny)
Pobór mocy : Maks. 55 mW
Dopuszczalne napięcie : 3,3 V ± 5% Dopuszczalne napięcie
Niezawodność (MTBF) : Niezawodność 1,5 miliona godzin (MTBF)
Temperatura pracy : 0 - 70 ℃
Współczynnik kształtu : M.2 (2280)
Interfejs : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Wymiary : 80,15 x maks. 25 x maks. 8,88 mm
Waga : 28,0 g
Pamięć masowa : Pamięć TLC Samsung V-NAND
Kontroler : Kontroler wewnętrzny firmy Samsung
Pamięć podręczna : Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM
---- Funkcje specjalne ----
Wsparcie TRIM : Utrzymany
Wsparcie SMART : Utrzymany
GC (Zbiórka śmieci) : Algorytm automatycznego zbierania śmieci
Wsparcie szyfrowania : Szyfrowanie AES 256-bitowe (klasa 0)TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Wsparcie WWN : Nieobsługiwane
Obsługa trybu uśpienia urządzenia : Tak
---- Wydajność ----
Odczyt sekwencyjny : Do 7450 MB/s
Zapis sekwencyjny : Do 6900 MB/s
Losowy odczyt : Do 1 600 000 IOPS
Losowy zapis : Do 1 550 000 IOPS
---- Środowisko ----
Średnie zużycie energii (poziom systemowy)
Średnio: 6,5 W , Maksymalnie: 8,6 W (tryb seryjny)
Pobór mocy : Maks. 55 mW
Dopuszczalne napięcie : 3,3 V ± 5% Dopuszczalne napięcie
Niezawodność (MTBF) : Niezawodność 1,5 miliona godzin (MTBF)
Temperatura pracy : 0 - 70 ℃
Opinie
5
0
4
0
3
0
2
0
1
0
Opinie użytkowników 0
Dodaj opinię
Ten produkt nie ma jeszcze opinii, dodaj opinię, bądź pierwszy!