Poznań, Kaliska 1
Czynne pn - czw 09:30 - 18:00 / pt 10:00 - 18:00 / sb 10:00 - 14:00

DDR3 1600 MHz

17 wyników na stronie
Filtry
Kategorie i filtry
Wyników na stronie
z 1
DDR3 2GB 1600 MHz Goodram CL9 [GR1600D364L9/2G]
Dostępność: Dostępny
Gwarancja 24 mies.
Producent: GOODRAM

Pamięć: 2GB DDR3,

Taktowanie: 16000Mhz,

Opóźnienie: CL 9,

Napięcie: 1,5V.
DDR3 8GB 1600 MHz Kingston CL11 [KVR16N11/8]
Dostępność: Dostępny
Gwarancja producenta 60 mies.
Ogólne
Pojemność: 8 GB
Sposób rozbudowy: Standardowy


Pamięć
Typ: DRAM moduł pamięci
Technologia: DDR3 SDRAM
Rodzaj obudowy: DIMM 240-pin
Szybkość: 1600 MHz (PC3-12800)
Latency Timings: CL11
Sprawdzenie intgralności danych: Bez ECC
Charakterystyka: Niebuforowana
Konfiguracja modułów: 1024 x 64
Napięcie: 1.5 V
Powłoka łączówki: Złoto


Rozszerzenie / połączenie
Zgodne sloty: 1 x pamięć - DIMM 240-pin


Gwarancja producenta
Obsługa i wsparcie: Ograniczona gwarancja dożywotnia (do 5 lat od wycofania z produkcji/sprzedaży przez producenta)
DDR3 8GB 1600 MHz Goodram CL11 [GR1600D364L11/8G]
Dostępność: Dostępny
Gwarancja producenta 60 mies.
---Ogólne---
Pojemność: 8 GB
Sposób rozbudowy: Standardowy

---Pamięć---
Typ: DRAM moduł pamięci
Technologia: DDR3 SDRAM
Rodzaj obudowy: DIMM 240-pin
Szybkość: 1600 MHz (PC3-12800)
Latency Timings: CL11
Sprawdzenie intgralności danych: Bez ECC
Charakterystyka: Niebuforowana
Architektura układów scalonych: 512 x 8
DDR3 4GB 1600 MHz
Dostępność: Dostępny
Gwarancja 24 mies.
Typ pamięci : DDR3
Pojemość : 4GB
Taktowanie : 1600MHz
DDR3 4GB 1600 MHz Goodram CL11 Single Rank [GR1600D364L11S/4G]
Dostępność: Dostępny
Gwarancja producenta 60 mies.
---Ogólne---
Pojemność: 4 GB
Sposób rozbudowy: Standardowy

---Pamięć---
Typ: DRAM moduł pamięci
Technologia: DDR3 SDRAM
Rodzaj obudowy: DIMM 240-pin
Szybkość: 1600 MHz (PC3-12800)
Latency Timings: CL11
Sprawdzenie intgralności danych: Bez ECC
Charakterystyka: Niebuforowana
Architektura układów scalonych: 512 x 8
DDR3 4GB 1600 MHz Kingston CL11 Low Voltage [KVR16LN11/4]
Dostępność: Dostępny
Gwarancja producenta 60 mies.
Ogólne
Pojemność: 4 GB
Sposób rozbudowy: Standardowy


Pamięć
Typ: DRAM moduł pamięci
Technologia: DDR3L SDRAM
Rodzaj obudowy: DIMM 240-pin
Wysokość modułu (w calach): 1.18
Szybkość: 1600 MHz (PC3L-12800)
Latency Timings: CL11 (11-11-11)
Sprawdzenie intgralności danych: Bez ECC
Charakterystyka: Niskie Napięcie, niebuforowana
Konfiguracja modułów: 512 x 64
Napięcie: 1.35 / 1.5 V
Powłoka łączówki: Złoto


Rozszerzenie / połączenie
Zgodne sloty: 1 x pamięć - DIMM 240-pin


Gwarancja producenta
Obsługa i wsparcie: Ograniczona gwarancja dożywotnia (do 5 lat od wycofania z produkcji/sprzedaży przez producenta)
DDR3 8GB 1600 MHz Goodram CL11 Low Voltage [GR1600D3V64L11/8G]
Dostępność: Dostępny
Gwarancja producenta 60 mies.
Ogólne
Pojemność: 8 GB
Sposób rozbudowy: Standardowy


Pamięć
Typ: DRAM moduł pamięci
Technologia: DDR3 SDRAM
Rodzaj obudowy: DIMM 240-pin
Wysokość modułu (w calach): 1.18
Szybkość: 1600 MHz (PC3-12800)
Latency Timings: CL11 (11-11-11-28)
Sprawdzenie intgralności danych: Bez ECC
Charakterystyka: Niskie Napięcie, niebuforowana
Architektura układów scalonych: 512 x 8
Napięcie: 1.35 V
Powłoka łączówki: Złoto


Różne
Kategoria koloru: Zielony


Gwarancja producenta
Obsługa i wsparcie: Ograniczona gwarancja dożywotnia (do 5 lat od wycofania z produkcji/sprzedaży przez producenta)
DDR3 4GB 1600 MHz Goodram CL11 Low Voltage 512x8 [GR1600D3V64L11S/4G]
Dostępność: Zapytaj o dostępność
Gwarancja producenta 60 mies.
---Ogólne---
Pojemność: 4 GB
Sposób rozbudowy: Standardowy

---Pamięć---
Typ: DRAM moduł pamięci
Technologia: DDR3 SDRAM
Rodzaj obudowy: DIMM 240-pin
Wysokość modułu (w calach): 1.18
Szybkość: 1600 MHz (PC3-12800)
Latency Timings: CL11
Sprawdzenie intgralności danych: Bez ECC
Charakterystyka: Moduł Jednostronny, Niskie Napięcie, niebuforowana
Architektura układów scalonych: 512 x 8
Napięcie: 1.35 V
Powłoka łączówki: Złoto
DDR3 4GB 1600 MHz Patriot CL11 [PSD34G16002]
Dostępność: Dostępny
Gwarancja producenta 60 mies.
Pojemność: 4 GB
Sposób rozbudowy: Standardowy


Pamięć
Typ: DRAM moduł pamięci
Technologia: DDR3 SDRAM
Rodzaj obudowy: DIMM 240-pin
Wysokość modułu (w calach): 1.18
Szybkość: 1600 MHz (PC3-12800)
Latency Timings: CL9
Sprawdzenie intgralności danych: Bez ECC
Charakterystyka: Dwustronny, Serial Presence Detect (SPD), niebuforowana
Napięcie: 1.7 V


Rozszerzenie / połączenie
Zgodne sloty: 1 x pamięć - DIMM 240-pin


Różne
Zgodność z normami: RoHS


Gwarancja producenta
Obsługa i wsparcie: Ograniczona gwarancja dożywotnia (do 5 lat od wycofania z produkcji/sprzedaży przez producenta)
DDR3 4GB 1600 MHz Goodram CL11 [GR1600D364L11/4G]
Dostępność: Dostępny
Gwarancja producenta 60 mies.
Producent: GOODRAM,

Pamięć: 4 GB pamięci DDR3,

240-pin,

Styki pokryte złotem,

Opóźnienie : CL 11,

Taktowanie: 1600 MHz.
DDR3 8GB 1600 MHz Goodram PLAY Silver CL10 (10-10-10-28) [GYS1600D364L10/8G]
Dostępność: Dostępny
Gwarancja producenta 60 mies.
Typ pamięci : DDR3
Pojemność : 8 GB
Pojemność kości : 8 GB (jeden moduł)
Częstotliwość : 1600 MHz (PC3-12800)
Opóźnienia (timing) : CL10-10-10-28
Napięcie : 1,5 V
Kolor : Srebrny
Dodatkowe informacje :
Radiator dla lepszego odprowadzania ciepła
Współpracuje z procesorami Intel i AMD
Dożywotnia gwarancja Goodram
DDR3 4GB 1600 MHz Kingston CL11 [KVR16N11/4]
Dostępność: Dostępny
Gwarancja 24 mies.
Linia : ValueRAM
Typ złącza : DIMM
Konfiguracja : Pojedyncza kość
Typ pamięci : DDR3
Chłodzenie : Nie
Pojemność łączna : 4 GB
Liczba modułów : 1
Częstotliwość pracy [MHz] : 1600
Opóźnienie : CL11
Napięcie [V] : 1.5
DDR3 4GB 1600 MHz oem
Dostępność: Dostępny
Gwarancja 24 mies.
Pamięć: 4 GB pamięci DDR3,

240-pin,

Styki pokryte złotem,

Opóźnienie : CL 11,

Taktowanie: 1600 MHz.
DDR3 8GB 1600 MHz
Dostępność: Dostępny
Gwarancja 24 mies.
DDR3 4GB 1600 MHz Goodram CL11 Low Voltage [GR1600D3V64L11/4G]
Dostępność: Dostępny
Gwarancja producenta 60 mies.
Producent: GOODRAM,

Pamięć: 4 GB pamięci DDR3

Taktowanie: 1600 MHz,

240-pin,

Styki pokryte złotem,

Opóźnienie: CL 11.,

Non-ECC,

napięcia zasilania : 1.35V.
DDR3 4GB 1866 MHz Samsung ECC [PC3-14900E-13-12-D1]
Dostępność: Dostępny
Gwarancja 24 mies.
Producent: Samsung,

Pamięć: 4GB DDR3,

Taktowanie: 1866MHz,

Opóźnienie: CL 11,

ECC: Tak

DDR3 4GB 1600 MHz oem Low Voltage
Dostępność: Dostępny
Gwarancja 24 mies.
Pamięć: 4GB pamięci DDR3,

Taktowanie: 1600MHz,

Opóźnienie: CL 11,

Napięcie: 1,5V.

1-17 z 17