![DDR3 4GB 1600 MHz Goodram CL11 Low Voltage 512x8 [GR1600D3V64L11S/4G]](https://znak.pl/images/7efe468c-be96-4a58-b6eb-2ccf1efffad8/1fgkonywpwyzfhuk.jpg)
![DDR3 4GB 1600 MHz Goodram CL11 Low Voltage 512x8 [GR1600D3V64L11S/4G]](https://znak.pl/images/8cc32063-385a-4709-b3b1-a3a1575170c1/1fgkonywpwyzfhuk.jpg)
DDR3 4GB 1600 MHz Goodram CL11 Low Voltage 512x8 [GR1600D3V64L11S/4G]
Kod produktu: DDR340961600Goo CL11 LV
Kod liczbowy: 119837
Przeznaczenie
Do komputerów PC
Rodzaj pamięci
DDR3
Ilość modułów
1 moduł
Pojemność
4 GB
Taktowanie
1600 MHz
Opóźnienie
CL 11
Napięcie
1,5 V
Radiator
brak
Podświetlenie
brak
Dominujący kolor
Zielony
Wysokość [mm]
30
Specyfikacja
---Ogólne---
Pojemność: 4 GB
Sposób rozbudowy: Standardowy
---Pamięć---
Typ: DRAM moduł pamięci
Technologia: DDR3 SDRAM
Rodzaj obudowy: DIMM 240-pin
Wysokość modułu (w calach): 1.18
Szybkość: 1600 MHz (PC3-12800)
Latency Timings: CL11
Sprawdzenie intgralności danych: Bez ECC
Charakterystyka: Moduł Jednostronny, Niskie Napięcie, niebuforowana
Architektura układów scalonych: 512 x 8
Napięcie: 1.35 V
Powłoka łączówki: Złoto
Pojemność: 4 GB
Sposób rozbudowy: Standardowy
---Pamięć---
Typ: DRAM moduł pamięci
Technologia: DDR3 SDRAM
Rodzaj obudowy: DIMM 240-pin
Wysokość modułu (w calach): 1.18
Szybkość: 1600 MHz (PC3-12800)
Latency Timings: CL11
Sprawdzenie intgralności danych: Bez ECC
Charakterystyka: Moduł Jednostronny, Niskie Napięcie, niebuforowana
Architektura układów scalonych: 512 x 8
Napięcie: 1.35 V
Powłoka łączówki: Złoto
Opinie
5
0
4
0
3
0
2
0
1
0
Opinie użytkowników 0
Dodaj opinię
Ten produkt nie ma jeszcze opinii, dodaj opinię, bądź pierwszy!