Samsung 970 Evo Plus 500GB SSD M.2 2280 NVMe Gen3x4 (3500/3200 MB/s) (512MB LPDDR4) [MZ-V7S500BW]
Kod produktu: hddssdSam500 MZ-V7S500BW
Kod liczbowy: 106899
Format
M.2 80 mm
Pojemność
500 GB
Interfejs
PCIe NVMe Gen3x4
Prędkość odczytu
3500 MB/s
Prędkość zapisu
3200 MB/s
Odczyt losowy [IOPS]
480000
Wpisz zapis losowy [MB/s]
550000
Zapis losowy [IOPS]
550000
Niezawodność MTBF
1500000 godzin
Radiator
brak
TBW
300 TB
Wysokość [mm]
2.3
Szerokość [mm]
22
Głębokość [mm]
80
Waga [g]
8
Specyfikacja
Gwarancja producenta: 60 miesięcy w serwisie
Ogólne
Rodzaj urządzenia: Napęd stały - wewnętrzny
Pojemność: 500 GB
Kodowanie sprzętu: Tak
Algorytm kodowania: 256 bitów AES
Typ pamięci NAND: Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy: M.2 2280
Interfejs: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Wielkość bufora: 512 MB
Cechy: Wsparcie TRIM, tryb uśpienia, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Szerokość: 22.15 mm
Głębokość: 80.15 mm
Wysokość: 2.38 mm
Waga: 8 g
Wydajność
Wytrzymałość SSD: 300 TB
Szybkość wewnętrzna danych: 3500 MBps (odczyt) / 3200 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB: 19000 IOPS
Zapis losowy 4KB: 60000 IOPS
Maksymalny zapis losowy 4KB: 550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB: 480000 IOPS
Niezawodność
MTBF: 1,500,000 godziny
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatybilna Wnęka: M.2 2280
Zasilanie
Zużycie energii:
5.8 wat (przeciętna)
9 wat (maksymalnie)
30 mW (maks. czas bezczynności)
Różne
Zgodność z normami: IEEE 1667
Ogólne
Rodzaj urządzenia: Napęd stały - wewnętrzny
Pojemność: 500 GB
Kodowanie sprzętu: Tak
Algorytm kodowania: 256 bitów AES
Typ pamięci NAND: Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy: M.2 2280
Interfejs: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Wielkość bufora: 512 MB
Cechy: Wsparcie TRIM, tryb uśpienia, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Szerokość: 22.15 mm
Głębokość: 80.15 mm
Wysokość: 2.38 mm
Waga: 8 g
Wydajność
Wytrzymałość SSD: 300 TB
Szybkość wewnętrzna danych: 3500 MBps (odczyt) / 3200 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB: 19000 IOPS
Zapis losowy 4KB: 60000 IOPS
Maksymalny zapis losowy 4KB: 550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB: 480000 IOPS
Niezawodność
MTBF: 1,500,000 godziny
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatybilna Wnęka: M.2 2280
Zasilanie
Zużycie energii:
5.8 wat (przeciętna)
9 wat (maksymalnie)
30 mW (maks. czas bezczynności)
Różne
Zgodność z normami: IEEE 1667
Opinie
5
0
4
0
3
0
2
0
1
0
Opinie użytkowników 0
Dodaj opinię
Ten produkt nie ma jeszcze opinii, dodaj opinię, bądź pierwszy!