DDR3 8GB 1600 MHz Goodram CL11 Low Voltage [GR1600D3V64L11/8G]

Ogólne
Pojemność: 8 GB
Sposób rozbudowy: Standardowy


Pamięć
Typ: DRAM moduł pamięci
Technologia: DDR3 SDRAM
Rodzaj obudowy: DIMM 240-pin
Wysokość modułu (w calach): 1.18
Szybkość: 1600 MHz (PC3-12800)
Latency Timings: CL11 (11-11-11-28)
Sprawdzenie intgralności danych: Bez ECC
Charakterystyka: Niskie Napięcie, niebuforowana
Architektura układów scalonych: 512 x 8
Napięcie: 1.35 V
Powłoka łączówki: Złoto


Różne
Kategoria koloru: Zielony


Gwarancja producenta
Obsługa i wsparcie: Ograniczona gwarancja dożywotnia (do 5 lat od wycofania z produkcji/sprzedaży przez producenta)